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- 制造厂商：松下半导体
- 类别封装：JFET结点场效应，TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3
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2SK275100L 技术参数详情：
- 制造商产品型号: 2SK275100L
- 制造商：松下半导体（Panasonic Electronic Components）
- 功能总体简述: JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3
- 系列: -
- FET 类型: N 沟道
- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）: -
- 漏源极电压（Vdss）: -
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）: 1.4μA @ 10V
- 漏极电流（Id） - 最大值: 10mA
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）: 3.5V @ 1μA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 5pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）: -
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装: 迷你型3-G1
- 功率 - 最大值: 200mW
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