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- 制造厂商：松下半导体
- 类别封装：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式，TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
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DRA2114E0L 技术参数详情：
- 制造商产品型号: DRA2114E0L
- 制造商：松下半导体（Panasonic Electronic Components）
- 功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
- 系列: -
- 晶体管类型: PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
- 电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 10k
- 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: 10k
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 35 @ 5mA，10V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 500μA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA
- 频率 - 跃迁: -
- 功率 - 最大值: 200mW
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装: 迷你型3-G3-B
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