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DRA5144V0L 图片
  • 制造厂商:松下半导体
  • 类别封装:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式,SC-85
  • 技术参数:TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
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DRA5144V0L 技术参数详情:
  • 制造商产品型号: DRA5144V0L
  • 制造商:松下半导体(Panasonic Electronic Components)
  • 功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
  • 系列: -
  • 晶体管类型: PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
  • 电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 47k
  • 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 10k
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 30 @ 5mA,10V
  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 250mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
  • 频率 - 跃迁: -
  • 功率 - 最大值: 150mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: SC-85
  • 供应商器件封装: SMini3-F2-B
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