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- 制造厂商：松下半导体
- 类别封装：FET - 阵列，8-SMD，扁平引线
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
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MTM78E2B0LBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号: MTM78E2B0LBF
- 制造商：松下半导体（Panasonic Electronic Components）
- 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 20V 4A WSMINI8-F1-B
- 系列: -
- FET 类型: 2 个 N 沟道（双）
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 20V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 4A
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 25 毫欧 @ 2A，4V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1100pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 150mW
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装: W迷你型8-F1
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