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- 制造厂商：Powerex
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
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QJD1210010 技术参数详情：
- 制造商产品型号：QJD1210010
- 制造商：Powerex Inc.
- 描述：MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 100A，20V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：500nC @ 20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10200pF @ 800V
- 功率-最大值：1080W
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
- QJD1210010优势代理货源，国内领先的Powerex芯片采购服务平台。
