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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
- 技术参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
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BS2103F-E2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BS2103F-E2
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：独立式
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：10V ~ 18V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：1V，2.6V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：60mA，130mA
- 输入类型：非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：600V
- 上升/下降时间（典型值）：200ns，100ns
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 零件封装：8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）
- BS2103F-E2优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
