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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
- 技术参数：1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
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BSM120C12P2C201 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BSM120C12P2C201
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 沟道
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：134A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 22mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14000pF @ 10V
- 功率-最大值：935W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
- BSM120C12P2C201优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
