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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：模块
- 技术参数：1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
- 丰富的ROHM公司产品，ROHM芯片采购平台
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BSM400D12P3G002 技术参数详情：
- 制造商产品型号：BSM400D12P3G002
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 个 N 通道（半桥）
- FET功能：碳化硅（SiC）
- 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：400A（Tc）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 109.2mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：17000pF @ 10V
- 功率-最大值：1570W（Tc）
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：模块
- BSM400D12P3G002优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
