EM6M1T2R 技术参数详情:
- 制造商产品型号:EM6M1T2R
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:不適用於新設計
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V,20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):100mA,200mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8 欧姆 @ 10mA,4V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.9nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V
- 功率-最大值:150mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-563,SOT-666
- EM6M1T2R优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。