EMH6T2R 技术参数详情:
- 制造商产品型号:EMH6T2R
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
- 系列:晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
- 零件状态:不適用於新設計
- 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
- 电压-集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器-基极(R1):47 千欧
- 电阻器-发射极(R2):47 千欧
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):300mV @ 500μA,10mA
- 电流-集电极截止(最大值):500nA
- 频率-跃迁:250MHz
- 功率-最大值:150mW
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-563,SOT-666
- EMH6T2R优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。