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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- 技术参数：HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
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HP8M51TB1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：HP8M51TB1
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：170mOhm @ 4.5A，10V，290mOhm @ 4.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15nC，26.2nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：600pF @ 50V
- 功率-最大值：3W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerTDFN
- HP8M51TB1优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
