产品参考图片
- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-UDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
- 丰富的ROHM公司产品，ROHM芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
HS8K11TB 技术参数详情：
- 制造商产品型号：HS8K11TB
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N-通道（双）
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A，11A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17.9 毫欧 @ 7A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.1nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：500pF @ 15V
- 功率-最大值：2W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-UDFN
- HS8K11TB优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
