HS8K1TB 技术参数详情:
- 制造商产品型号:HS8K1TB
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:30V NCH+NCH POWER MOSFET
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:2 N-通道(双)
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta),11A(Ta)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14.6mOhm @ 10A,10V,11.8mOhm @ 11A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):6nC,7.4nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):348pF,429pF @ 15V
- 功率-最大值:2W(Ta)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-UDFN
- HS8K1TB优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。