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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置，TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
- 技术参数：TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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IMB9AT110 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IMB9AT110
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
- 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
- 零件状态：不適用於新設計
- 晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 电阻器-基极(R1)：10 千欧
- 电阻器-发射极(R2)：47 千欧
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：68 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
- 电流-集电极截止（最大值）：500nA
- 频率-跃迁：250MHz
- 功率-最大值：300mW
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SC-74，SOT-457
- IMB9AT110优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
