QH8M22TCR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:QH8M22TCR
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:标准
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):4.5A(Ta),2A(Ta)
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):46mOhm @ 4.5A,10V,190mOhm @ 2A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 10μA,3V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.6nC,9.5nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):193pF,450pF @ 20V
- 功率-最大值:1.1W(Ta)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SMD,扁平引线
- QH8M22TCR优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。