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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T
- 技术参数：QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T
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QH8M22TCR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：QH8M22TCR
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：标准
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Ta），2A（Ta）
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：46mOhm @ 4.5A，10V，190mOhm @ 2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 10μA，3V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.6nC，9.5nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：193pF，450pF @ 20V
- 功率-最大值：1.1W（Ta）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-SMD，扁平引线
- QH8M22TCR优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
