QS5Y1TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:QS5Y1TR
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
- 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 零件状态:有源
- 晶体管类型:NPN,PNP(耦合发射器)
- 电流-集电极(Ic)(最大值):3A
- 电压-集射极击穿(最大值):30V
- 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,1A
- 电流-集电极截止(最大值):1μA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V
- 功率-最大值:1.25W
- 频率-跃迁:300MHz,270MHz
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
- QS5Y1TR优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。