QS6J3TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:QS6J3TR
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:不適用於新設計
- FET类型:2 个 P 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1.5A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):215 毫欧 @ 1.5A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):270pF @ 10V
- 功率-最大值:1.25W
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- QS6J3TR优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。