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- 制造厂商:ROHM(罗姆)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SMD,扁平引线
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
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QS8M13TCR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:QS8M13TCR
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:-
- 零件状态:不適用於新設計
- FET类型:N 和 P 沟道
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):6A,5A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5.5nC @ 5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):390pF @ 10V
- 功率-最大值:1.5W
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:8-SMD,扁平引线
- QS8M13TCR优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
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