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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，MOSFET N-CH 600V 9A TO252
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 9A TO252
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R6009END3TL1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：R6009END3TL1
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 9A TO252
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：535 毫欧 @ 2.8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：430pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：94W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：TO-252
- R6009END3TL1优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
