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- 制造厂商:ROHM(罗姆)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:HUML2020L8
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
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RF4E080BNTR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:RF4E080BNTR
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):17.6 毫欧 @ 8A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):14.5nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:HUML2020L8
- RF4E080BNTR优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
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