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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，IGBT
- 技术参数：IGBT
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RGT30NS65DGC9 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RGT30NS65DGC9
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：IGBT
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：45A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
- 功率-最大值：133W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：32nC
- 25°C时Td（开/关）值：18ns/64ns
- 测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：55ns
- 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- RGT30NS65DGC9优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
