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ROHM
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  • 制造厂商:ROHM(罗姆)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • 技术参数:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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RGTV00TS65GC11 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:RGTV00TS65GC11
  • 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
  • 描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):95A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):200A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:276W
  • 开关能量:1.17mJ(开),940μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:104nC
  • 25°C时Td(开/关)值:41ns/142ns
  • 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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