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- 制造厂商:ROHM(罗姆)
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3PFM,SC-93-3
- 技术参数:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
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RGW80TK65DGVC11 技术参数详情:
- 制造商产品型号:RGW80TK65DGVC11
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- IGBT类型:沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):39A
- 电流-集电极脉冲(Icm):160A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,40A
- 功率-最大值:81W
- 开关能量:760μJ(开),720μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:110nC
- 25°C时Td(开/关)值:44ns/143ns
- 测试条件:400V,40A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):92ns
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-3PFM,SC-93-3
- RGW80TK65DGVC11优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
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