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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-HSMT（3.2x3）
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
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RQ3E150GNTB 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RQ3E150GNTB
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.1 毫欧 @ 15A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.3nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta），17.2W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-HSMT（3.2x3）
- RQ3E150GNTB优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
