- 制造厂商:ROHM(罗姆)
- 类别封装:FET - 单,8-SOIC
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 4A 8-SOIC
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RSS040P03TB 技术参数详情:
- ROHM罗姆半导体完整型号: RSS040P03TB
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 功能总体简述: MOSFET P-CH 30V 4A 8-SOIC
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压(Vdss): 30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 4A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 58 毫欧 @ 4A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 8nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 800pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 2W
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装: 8-SOP
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