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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：FET - 单，MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 技术参数：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
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RSS130N03TB 技术参数详情：
- ROHM罗姆半导体完整型号: RSS130N03TB
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 系列: -
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 30V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 13A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 8.1 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 35nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2000pF @ 10V
- 功率 - 最大值: 2W
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装: 8-SOP
- RSS130N03TB优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
