US5U29TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:US5U29TR
- 制造商:罗姆半导体(ROHM Semiconductor)
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:不適用於新設計
- FET类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):390 毫欧 @ 1A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 5V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):150pF @ 10V
- FET功能:肖特基二极管(隔离式)
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:TUMT5
- US5U29TR优势代理货源,国内领先的ROHM芯片采购服务平台。