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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
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US6M1TR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：US6M1TR
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V，20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.4A，1A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：240 毫欧 @ 1.4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2nC @ 5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 10V
- 功率-最大值：1W
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-SMD，扁平引线
- US6M1TR优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
