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- 制造厂商：ROHM（罗姆）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-SMD，扁平引线
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
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VT6M1T2CR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：VT6M1T2CR
- 制造商：罗姆半导体（ROHM Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 和 P 沟道
- FET功能：逻辑电平栅极，1.2V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：100mA
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 100μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7.1pF @ 10V
- 功率-最大值：120mW
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：6-SMD，扁平引线
- VT6M1T2CR优势代理货源，国内领先的ROHM芯片采购服务平台。
