- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:单端场效应管,TO-263
- 技术参数:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
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2SK3812-ZP-E1-AY 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:2SK3812-ZP-E1-AY
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):110A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.8 毫欧 @ 55A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):250nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):16800pF @ 10V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263
- 2SK3812-ZP-E1-AY优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。