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  • 制造厂商:Renesas(瑞萨)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET P-CH SOP8
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HAT1126RWS-E 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:HAT1126RWS-E
  • 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
  • 描述:MOSFET P-CH SOP8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):50 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):37nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2300pF @ 10V
  • 功率-最大值:3W(Ta)
  • 工作温度:150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • HAT1126RWS-E优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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