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Renesas
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HAT2165H 图片
  • 制造厂商:Renesas(瑞萨)
  • 类别封装:单端场效应管,LFPAK
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
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HAT2165H 技术参数详情:
  • Renesas瑞萨完整型号:HAT2165H
  • 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):55A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 27.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5180pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:30W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669
  • 供应商器件封装:LFPAK
  • HAT2165H优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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