- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:单端场效应管,8-LFPAK-iV
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
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HAT2168N-EL-E 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:HAT2168N-EL-E
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 30A LFPAKI
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 15A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1730pF @ 10V
- 功率 - 最大值:15W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
- 供应商器件封装:8-LFPAK-iV
- HAT2168N-EL-E优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。