产品参考图片
- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：单端场效应管，8-LFPAK-iV
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
- 丰富的Renesas公司产品，Renesas芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
HAT2173N-EL-E 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：HAT2173N-EL-E
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15.3 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 20mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：61nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4350pF @ 10V
- 功率 - 最大值：30W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）
- 供应商器件封装：8-LFPAK-iV
- HAT2173N-EL-E优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
