- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:单端场效应管,8-WPAK
- 技术参数:MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK
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HAT2183WP 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:HAT2183WP
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 150V 20A 8WPAK
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):150V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):64 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 25V
- 功率 - 最大值:30W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-WPAK
- HAT2183WP优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。