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- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:RF晶体管,4-MFPAK
- 技术参数:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
- 丰富的Renesas公司产品,Renesas芯片采购平台
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HSG1002VE-TL-E 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:HSG1002VE-TL-E
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V
- 频率 - 跃迁:38GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
- 增益:8dB ~ 19.5dB
- 功率 - 最大值:200mW
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:4-SMD,鸥翼型
- 供应商器件封装:4-MFPAK
- HSG1002VE-TL-E优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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