产品参考图片
- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：RF晶体管，4-MFPAK
- 技术参数：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
- 丰富的Renesas公司产品，Renesas芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
HSG1002VE-TL-E 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：HSG1002VE-TL-E
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V
- 频率 - 跃迁：38GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
- 增益：8dB ~ 19.5dB
- 功率 - 最大值：200mW
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：4-SMD，鸥翼型
- 供应商器件封装：4-MFPAK
- HSG1002VE-TL-E优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
