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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：RF FET，4-SMD
- 技术参数：IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG
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NE5550779A-T1-A 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号: NE5550779A-T1-A
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 功能总体简述: IC FET LDMOS 30V 2.1A 79A-PKG
- 系列: -
- 晶体管类型: LDMOS
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
- 频率: 900MHz
- 增益: 22dB
- 频率 - 跃迁: -
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
- 电压 - 测试: 7.5V
- 额定电流: 2.1A
- 功率 - 最大值: -
- 噪声系数: -
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
- 电流 - 测试: 140mA
- 功率 - 输出: 38.5dBm
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
- 安装类型: -
- 电压 - 额定: 30V
- 封装/外壳: 4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装:
- NE5550779A-T1-A优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
