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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：RF 晶体管（BJT），SOT-623F
- 技术参数：TRANSISTOR NPN 2GHZ M03
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NE685M03-T1-A 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号: NE685M03-T1-A
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 功能总体简述: TRANSISTOR NPN 2GHZ M03
- 系列: -
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: 5V
- 频率 - 跃迁: 12GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 增益: -
- 功率 - 最大值: 125mW
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 75 @ 10mA，3V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 30mA
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: SOT-623F
- 供应商器件封装: M03
- NE685M03-T1-A优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
