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- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:RF 晶体管(BJT),3-SMD
- 技术参数:TRANS NPN 2GHZ M33
- 丰富的Renesas公司产品,Renesas芯片采购平台
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NESG2107M33-T3-A 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号: NESG2107M33-T3-A
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 功能总体简述: TRANS NPN 2GHZ M33
- 系列: -
- 晶体管类型: NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值): 5V
- 频率 - 跃迁: 10GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
- 增益: 7dB ~ 10dB
- 功率 - 最大值: 130mW
- 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 140 @ 5mA,1V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: 3-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装: 3 针 SuperMiniMold(M33)
- NESG2107M33-T3-A优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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