- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:单端场效应管,TO-220
- 技术参数:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
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NP80N04MLG-S18-AY 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:NP80N04MLG-S18-AY
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 40A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):135nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6900pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.8W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
- NP80N04MLG-S18-AY优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。