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Renesas
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  • 制造厂商:Renesas(瑞萨)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
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RJH1CV7DPK-00#T0 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:RJH1CV7DPK-00#T0
  • 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
  • 描述:IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:最後搶購
  • IGBT类型:沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,35A
  • 功率-最大值:320W
  • 开关能量:3.2mJ(开),2.5mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:166nC
  • 25°C时Td(开/关)值:53ns/185ns
  • 测试条件:600V,35A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):200ns
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • RJH1CV7DPK-00#T0优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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