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Renesas
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  • 制造厂商:Renesas(瑞萨)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • 技术参数:IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
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RJH60F6DPK-00#T0 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:RJH60F6DPK-00#T0
  • 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
  • 描述:IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟道
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):85A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,45A
  • 功率-最大值:297.6W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C时Td(开/关)值:58ns/131ns
  • 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):140ns
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-3P-3,SC-65-3
  • RJH60F6DPK-00#T0优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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