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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
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RJH60F6DPK-00#T0 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RJH60F6DPK-00#T0
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟道
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：85A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，45A
- 功率-最大值：297.6W
- 开关能量：-
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：-
- 25°C时Td（开/关）值：58ns/131ns
- 测试条件：400V，30A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：140ns
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
- RJH60F6DPK-00#T0优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
