
- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:单端场效应管,8-DFN
- 技术参数:MOSFET N-CH 25V 65A WPAK
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RJK0208DPA-00#J5A 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:RJK0208DPA-00#J5A
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 65A WPAK
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss):25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):65A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2 毫欧 @ 32.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):36nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7490pF @ 10V
- 功率 - 最大值:60W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-WFDFN
- 供应商器件封装:8-DFN(5x6)
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