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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：单端场效应管，TO-3PSG
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
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RJK60S8DPK-M0#T0 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：RJK60S8DPK-M0#T0
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：超级结
- 漏源极电压 (Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：56 毫欧 @ 27.5A， 10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：82nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5300pF @ 25V
- 功率 - 最大值：416.6W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3PSG
- 供应商器件封装：TO-3PSG
- RJK60S8DPK-M0#T0优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
