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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）
- 技术参数：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
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RJM0603JSC-00#12 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RJM0603JSC-00#12
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：3 个 N 沟道和 3 个 P 沟道（3 相桥式）
- FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 10A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2600pF @ 10V
- 功率-最大值：54W
- 工作温度：175°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：20-SOIC（0.433，11.00mm 宽）
- RJM0603JSC-00#12优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
