产品参考图片
- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
- 丰富的Renesas公司产品，Renesas芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
RJP65T43DPQ-A0#T2 技术参数详情：
- 制造商产品型号：RJP65T43DPQ-A0#T2
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：IGBT TRENCH 650V 60A TO247A
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：沟道
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：150W
- 开关能量：170μJ（开），130μJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：69nC
- 25°C时Td（开/关）值：35ns/105ns
- 测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：-
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- RJP65T43DPQ-A0#T2优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
