- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:单端场效应管,8-VSOF
- 技术参数:MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
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UPA2201T1M-T1-AT 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:UPA2201T1M-T1-AT
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
- 漏源极电压 (Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18.5 毫欧 @ 9A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.3nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):920pF @ 10V
- 功率 - 最大值:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-WSOF
- 供应商器件封装:8-VSOF
- UPA2201T1M-T1-AT优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。