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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：单端场效应管，8-DFN3333
- 技术参数：MOSFET P-CH 30V 8-HVSON
- 丰富的Renesas公司产品，Renesas芯片采购平台
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UPA2731UT1A-E1-AY 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：UPA2731UT1A-E1-AY
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8-HVSON
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：44A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 22A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：149nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3620pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）
- UPA2731UT1A-E1-AY优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
