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- 制造厂商:Renesas(瑞萨)
- 类别封装:场效应管阵列,8-PSOP
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
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UPA2756GR-E1-AT 技术参数详情:
- Renesas瑞萨完整型号:UPA2756GR-E1-AT
- 制造商:瑞萨电子(Renesas Electronics)
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
- 系列:-
- FET 类型:2 个 N 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 10V
- 功率 - 最大值:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:8-PSOP
- UPA2756GR-E1-AT优势代理货源,国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
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