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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：场效应管阵列，8-SOP
- 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 10A 8SOP
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UPA2792AGR-E1-AT 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：UPA2792AGR-E1-AT
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET N/P-CH 30V 10A 8SOP
- 系列：-
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.5 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：42nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerSOIC （0.173"， 4.40mm）
- 供应商器件封装：8-SOP
- UPA2792AGR-E1-AT优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
